NTMD6P02R2G
참조 용
| 부품 번호 | NTMD6P02R2G |
| PNEDA 부품 번호 | NTMD6P02R2G |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 51,396 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTMD6P02R2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTMD6P02R2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTMD6P02R2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| 전력-최대 | 750mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A, 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
