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NTMFD4C20NT3G

NTMFD4C20NT3G

참조 용

부품 번호 NTMFD4C20NT3G
PNEDA 부품 번호 NTMFD4C20NT3G
설명 MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMFD4C20NT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFD4C20NT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTMFD4C20NT3G, NTMFD4C20NT3G 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 172.1 KB)
PDFNTMFD4C20NT3G 데이터 시트 표지
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  • NTMFD4C20NT3G Distributor

NTMFD4C20NT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.1A, 13.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds970pF @ 15V
전력-최대1.09W, 1.15W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

공급자 장치 패키지

TSMT5

SI1905DL-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

570mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

NTLUD4C26NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

µCool™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 15V

전력-최대

2.63W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-UDFN (2x2)

IRF8915TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTM10TAM19FPG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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