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NTMFD5C650NLT1G

NTMFD5C650NLT1G

참조 용

부품 번호 NTMFD5C650NLT1G
PNEDA 부품 번호 NTMFD5C650NLT1G
설명 T6 60V LL S08FL DS
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTMFD5C650NLT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFD5C650NLT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTMFD5C650NLT1G, NTMFD5C650NLT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 138.71 KB)
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  • NTMFD5C650NLT1G Distributor

NTMFD5C650NLT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 98µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs37nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2546pF @ 25V
전력-최대3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

4-EFCP (1.01x1.01)

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BSO150N03

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1890pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

MMDF2P02HDR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

588pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMN3401LDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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