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NTMFS4985NFT3G

NTMFS4985NFT3G

참조 용

부품 번호 NTMFS4985NFT3G
PNEDA 부품 번호 NTMFS4985NFT3G
설명 MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
제조업체 ON Semiconductor
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NTMFS4985NFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMFS4985NFT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTMFS4985NFT3G, NTMFS4985NFT3G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 136.02 KB)
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  • NTMFS4985NFT3G Distributor

NTMFS4985NFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17.5A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2100pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TP

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

APT13F120S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4765pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D3Pak

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FDG316P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

750mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

IRF5805TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

511pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Micro6™(TSOP-6)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SQD100N03-3M4_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

124nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7349pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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