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NTP8G202NG

NTP8G202NG

참조 용

부품 번호 NTP8G202NG
PNEDA 부품 번호 NTP8G202NG
설명 MOSFET N-CH 600V 9A TO220
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTP8G202NG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTP8G202NG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTP8G202NG, NTP8G202NG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 108.64 KB)
PDFNTP8G202NG 데이터 시트 표지
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  • NTP8G202NG Distributor

NTP8G202NG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대)±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds760pF @ 400V
FET 기능-
전력 손실 (최대)65W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15525pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

BUK7516-55A,127

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2245pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

138W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FQD2N40TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

C3M0030090K

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

C3M™

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

63A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 35A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 11mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87nC @ 15V

Vgs (최대)

+15V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1864pF @ 600V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

149W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-4

패키지 / 케이스

TO-247-4

IPP041N04NGXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 45µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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