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NTR4503NT1

NTR4503NT1

참조 용

부품 번호 NTR4503NT1
PNEDA 부품 번호 NTR4503NT1
설명 MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,816
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTR4503NT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTR4503NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTR4503NT1, NTR4503NT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 121.6 KB)
PDFNTR4503NT3G 데이터 시트 표지
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NTR4503NT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 24V
FET 기능-
전력 손실 (최대)420mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 110µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8290pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-1

패키지 / 케이스

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ZXMN6A08GQTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

459pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IXTQ30N50P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

460W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

SCH1332-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

375pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta), 15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 8µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 37.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 18W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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