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NTTD1P02R2

NTTD1P02R2

참조 용

부품 번호 NTTD1P02R2
PNEDA 부품 번호 NTTD1P02R2
설명 MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTTD1P02R2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTTD1P02R2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTTD1P02R2, NTTD1P02R2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 148.2 KB)
PDFNTTD1P02R2G 데이터 시트 표지
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NTTD1P02R2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.45A
Rds On (최대) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.45A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds265pF @ 16V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지Micro8™

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 25V

전력-최대

1.54W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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