NTZD3154NT2G
참조 용
| 부품 번호 | NTZD3154NT2G |
| PNEDA 부품 번호 | NTZD3154NT2G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,562 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTZD3154NT2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTZD3154NT2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTZD3154NT2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 540mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 16V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-563 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2360pF @ 6V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X3-DSN2718-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 390mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1.5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 56pF @ 15V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 40V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 IXYS 시리즈 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 53A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8600pF @ 25V 전력-최대 180W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
