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NV25080DWHFT3G

NV25080DWHFT3G

참조 용

부품 번호 NV25080DWHFT3G
PNEDA 부품 번호 NV25080DWHFT3G
설명 8KB SPI SER CMOS EEPROM
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
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NV25080DWHFT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NV25080DWHFT3G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NV25080DWHFT3G, NV25080DWHFT3G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 266.36 KB)
PDFNV25640DTHFT3G 데이터 시트 표지
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NV25080DWHFT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술-
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간40ns
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 150°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

17ns

접근 시간

17ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

84-BPGA

공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

AT49SV322DT-80CU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA, CSBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (7x10)

7015S25J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (8K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

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