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NVD3055-150T4G-VF01

NVD3055-150T4G-VF01

참조 용

부품 번호 NVD3055-150T4G-VF01
PNEDA 부품 번호 NVD3055-150T4G-VF01
설명 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NVD3055-150T4G-VF01 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVD3055-150T4G-VF01
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVD3055-150T4G-VF01, NVD3055-150T4G-VF01 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 133.82 KB)
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NVD3055-150T4G-VF01 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds280pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

174pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.3W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

TO-261-3

BBS3002-TL-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13200pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK12E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

890pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

760mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

156pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

313mW (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 2A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

191pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

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