NVMFD5877NLWFT3G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD5877NLWFT3G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD5877NLWFT3G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,646 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD5877NLWFT3G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD5877NLWFT3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD5877NLWFT3G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 540pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A Rds On (최대) @ Id, Vgs 780mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7736pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 273nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6761pF @ 25V 전력-최대 416W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVIII-H FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 15V 전력-최대 1.8W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-TSOP-F |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta), 11A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC, 7.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 348pF, 429pF @ 15V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 HSML3030L10 |
