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NVMFD5C446NWFT1G

NVMFD5C446NWFT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C446NWFT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C446NWFT1G
설명 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 7,290
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NVMFD5C446NWFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C446NWFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C446NWFT1G, NVMFD5C446NWFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.33 KB)
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  • NVMFD5C446NWFT1G Distributor

NVMFD5C446NWFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2450pF @ 25V
전력-최대3.2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Cree/Wolfspeed

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

193A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

AO5600E

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

IRF5810TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 16V

전력-최대

960mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

NVMFD5C470NWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SI5504DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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