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NVMFD5C478NT1G

NVMFD5C478NT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C478NT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C478NT1G
설명 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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NVMFD5C478NT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C478NT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C478NT1G, NVMFD5C478NT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 196.47 KB)
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NVMFD5C478NT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds325pF @ 25V
전력-최대3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

관심을 가질만한 제품

IRF6802SDTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 13V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric SA

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ SA

FDMD8260LET60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5245pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

12-Power3.3x5

SH8K15TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

PHKD13N03LT,518

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

752pF @ 15V

전력-최대

3.57W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMG1016VQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

870mA, 640mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60.67pF @ 16V

전력-최대

530mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

최근 판매

0233004.MXP

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Littelfuse

FUSE GLASS 4A 125VAC 5X20MM

LT1963AEST-1.8#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

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Yageo

RES ARRAY 4 RES 2K OHM 2012

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

NC7SZ125P5X

NC7SZ125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-5

HCPL-0531-500E

HCPL-0531-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8SOIC

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

REF02CSZ

REF02CSZ

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LTC1453CS8#PBF

LTC1453CS8#PBF

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IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC