NVMFD6H852NLT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD6H852NLT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD6H852NLT1G |
| 설명 | FET NCH 80V |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,642 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 11 - 1월 16 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD6H852NLT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD6H852NLT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD6H852NLT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Ta), 25A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 26µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 521pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Ta), 185A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 106W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.2V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Ta), 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4545pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAK 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
