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NVTFWS004N04CTAG

NVTFWS004N04CTAG

참조 용

부품 번호 NVTFWS004N04CTAG
PNEDA 부품 번호 NVTFWS004N04CTAG
설명 MOSFET N-CH 40V 77A
제조업체 ON Semiconductor
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NVTFWS004N04CTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVTFWS004N04CTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NVTFWS004N04CTAG, NVTFWS004N04CTAG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 143.12 KB)
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NVTFWS004N04CTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Ta), 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1150pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.2W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

IXYS

시리즈

TrenchT4™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

270A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

182nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AA

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMJ70H601SV3

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

686pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3780pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

320W (Tc)

작동 온도

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Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.85A (Ta)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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