NX1029X,115
참조 용
| 부품 번호 | NX1029X,115 |
| PNEDA 부품 번호 | NX1029X-115 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 293,712 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NX1029X 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NX1029X,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NX1029X 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V, 50V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 330mA, 170mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 36pF @ 25V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-666 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 32V 전력-최대 1.29W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1171pF @ 10V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Tc), 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1310pF @ 13V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 41-PowerVFQFN 공급자 장치 패키지 41-PQFN (6x8) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 710pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
