NX3020NAKV,115
참조 용
| 부품 번호 | NX3020NAKV,115 |
| PNEDA 부품 번호 | NX3020NAKV-115 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 1,245,012 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NX3020NAKV 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NX3020NAKV,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NX3020NAKV 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.44nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13pF @ 10V |
| 전력-최대 | 375mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-666 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3115pF @ 25V 전력-최대 64W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V, 45nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V 전력-최대 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.5A (Ta), 68A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1440pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 57.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 490pF @ 10V 전력-최대 2.2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 139A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 350nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9875pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
