ON5194,127
참조 용
| 부품 번호 | ON5194,127 |
| PNEDA 부품 번호 | ON5194-127 |
| 설명 | MOSFET POWER TRENCH I2PAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 22 - 12월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ON5194 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ON5194,127 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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ON5194 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 280pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-MCPH 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2078pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 250nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8250pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (D2Pak) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 140A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4010pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 140W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 115mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 198nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6800pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 735W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
