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PBHV9215Z,115

PBHV9215Z,115

참조 용

부품 번호 PBHV9215Z,115
PNEDA 부품 번호 PBHV9215Z-115
설명 TRANS PNP 150V 2A SOT223
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 12,366
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PBHV9215Z 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PBHV9215Z,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PBHV9215Z, PBHV9215Z 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 268.21 KB)
PDFPBHV9215Z 데이터 시트 표지
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PBHV9215Z 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic350mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 1A, 10V
전력-최대1.45W
주파수-전환35MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SC-73

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

BUL138

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

BC807-40 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

FJP5200OTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

MJD41CT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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