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PBSS4350D,125

PBSS4350D,125

참조 용

부품 번호 PBSS4350D,125
PNEDA 부품 번호 PBSS4350D-125
설명 TRANS NPN 50V 3A 6TSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 21,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PBSS4350D 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PBSS4350D,125
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PBSS4350D, PBSS4350D 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 498.81 KB)
PDFPBSS4350D 데이터 시트 표지
PBSS4350D 데이터 시트 페이지 2 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 3 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 4 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 5 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 6 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 7 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 8 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 9 PBSS4350D 데이터 시트 페이지 10

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PBSS4350D 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic290mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
전력-최대750mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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제조업체

Bourns Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 330mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 500mA, 5V

전력-최대

100W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

PHPT60603NYX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

270mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

JANTXV2N3749

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/315

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

TO-111-4, Stud

공급자 장치 패키지

TO-111

2SD1835S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

전력-최대

750mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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