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PD20010-E

PD20010-E

참조 용

부품 번호 PD20010-E
PNEDA 부품 번호 PD20010-E
설명 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 9,541
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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PD20010-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD20010-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD20010-E, PD20010-E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 235.22 KB)
PDFPD20010STR-E 데이터 시트 표지
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PD20010-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

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-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MWT-1789SB

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

500MHz ~ 4GHz

이득

18dB

전압-테스트

6.5V

전류 정격 (Amps)

440mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

440mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

6.5V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

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IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

350W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

PTFA212001FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

BF256C_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

18mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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