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PD20010STR-E

PD20010STR-E

참조 용

부품 번호 PD20010STR-E
PNEDA 부품 번호 PD20010STR-E
설명 TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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PD20010STR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD20010STR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD20010STR-E, PD20010STR-E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 235.22 KB)
PDFPD20010STR-E 데이터 시트 표지
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PD20010STR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Straight Lead)

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ON Semiconductor

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400MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

PD57018TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz

이득

22dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

2.1A

소음 수치

-

현재-테스트

140mA

전원-출력

38.5dBm

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

VRF151

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

14dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

M174

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