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PD57006STR-E

PD57006STR-E

참조 용

부품 번호 PD57006STR-E
PNEDA 부품 번호 PD57006STR-E
설명 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD57006STR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD57006STR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD57006STR-E, PD57006STR-E 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 545.19 KB)
PDFPD57006TR-E 데이터 시트 표지
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PD57006STR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수945MHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1A
소음 수치-
현재-테스트70mA
전원-출력6W
전압-정격65V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Straight Lead)

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

800MHz

이득

22dB

전압-테스트

9V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

PG-SOT143R-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

22.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

GTVA126001EC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 500MHz

이득

23dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

-

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

OM-1230-4L

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

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