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PD85006TR-E

PD85006TR-E

참조 용

부품 번호 PD85006TR-E
PNEDA 부품 번호 PD85006TR-E
설명 FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD85006TR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD85006TR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD85006TR-E, PD85006TR-E 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 268.64 KB)
PDFPD85006-E 데이터 시트 표지
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PD85006TR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득17dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)2A
소음 수치-
현재-테스트200mA
전원-출력5W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

관심을 가질만한 제품

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS

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2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

MMBFJ310

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BLF647PS,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.3GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

CGHV27100F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

100W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

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