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PD85015-E

PD85015-E

참조 용

부품 번호 PD85015-E
PNEDA 부품 번호 PD85015-E
설명 FET RF 40V 870MHZ
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,140
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD85015-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD85015-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD85015-E, PD85015-E 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 249.16 KB)
PDFPD85015S-E 데이터 시트 표지
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PD85015-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득16dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력15W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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현재-테스트

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.8GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

65W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz ~ 1.22GHz

이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

2SK3075(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

11.7dB

전압-테스트

9.6V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

7.5W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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