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PD85035STR-E

PD85035STR-E

참조 용

부품 번호 PD85035STR-E
PNEDA 부품 번호 PD85035STR-E
설명 TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
제조업체 STMicroelectronics
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PD85035STR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD85035STR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD85035STR-E, PD85035STR-E 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 339.15 KB)
PDFPD85035S-E 데이터 시트 표지
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PD85035STR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득17dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)8A
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력15W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Straight Lead)

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이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

922.5MHz ~ 957.5MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

39A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

PTFA070601FV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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