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PDTC143TU,135

PDTC143TU,135

참조 용

부품 번호 PDTC143TU,135
PNEDA 부품 번호 PDTC143TU-135
설명 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 6,948
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PDTC143TU 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PDTC143TU,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
PDTC143TU, PDTC143TU 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 397.53 KB)
PDFPDTC143TS 데이터 시트 표지
PDTC143TS 데이터 시트 페이지 2 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 3 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 4 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 5 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 6 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 7 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 8 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 9 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 10 PDTC143TS 데이터 시트 페이지 11

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  • PDTC143TU,135 Distributor

PDTC143TU 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA
주파수-전환-
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70

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Panasonic Electronic Components

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-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

3-SSIP

공급자 장치 패키지

NS-B1

FJNS3209RTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

TO-92S

PDTC144EQAZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

230MHz

전력-최대

280mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010D-3

DTD523YMT2L

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

RN2101,LF(CT

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

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