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PF48F4000P0ZBQE3

PF48F4000P0ZBQE3

참조 용

부품 번호 PF48F4000P0ZBQE3
PNEDA 부품 번호 PF48F4000P0ZBQE3
설명 IC FLASH 256M PARALLEL 88SCSP
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PF48F4000P0ZBQE3 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PF48F4000P0ZBQE3
분류반도체메모리 IC기억

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PF48F4000P0ZBQE3 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Axcell™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100ns
접근 시간100ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스88-VFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지88-SCSP (11x8)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

85ns

접근 시간

85ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

71342LA35J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

IS43LR16640A-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TWBGA (8x10)

IS42RM32160E-75BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

2.3V ~ 3V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

70V06S35J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

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