PH2520U,115
참조 용
| 부품 번호 | PH2520U,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PH2520U-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,050 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PH2520U 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PH2520U,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PH2520U 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5850pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 62.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37nC @ 4V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 20W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 73mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 278nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5892pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 417W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AC 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 715pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 710mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
