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PH9025L,115

PH9025L,115

참조 용

부품 번호 PH9025L,115
PNEDA 부품 번호 PH9025L-115
설명 MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,528
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PH9025L 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PH9025L,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PH9025L, PH9025L 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 85.88 KB)
PDFPH9025L 데이터 시트 표지
PH9025L 데이터 시트 페이지 2 PH9025L 데이터 시트 페이지 3 PH9025L 데이터 시트 페이지 4 PH9025L 데이터 시트 페이지 5 PH9025L 데이터 시트 페이지 6 PH9025L 데이터 시트 페이지 7 PH9025L 데이터 시트 페이지 8 PH9025L 데이터 시트 페이지 9 PH9025L 데이터 시트 페이지 10 PH9025L 데이터 시트 페이지 11

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PH9025L 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.15V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1414pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)62.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스SC-100, SOT-669

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 590µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2180pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

129W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

패키지 / 케이스

TO-247-4

STD86N3LH5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

IXYS

시리즈

Linear L2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

935W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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BSS119NH6433XTMA1

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

190mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 13µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20.9pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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