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PHD13003C,412

PHD13003C,412

참조 용

부품 번호 PHD13003C,412
PNEDA 부품 번호 PHD13003C-412
설명 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 95,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PHD13003C 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PHD13003C,412
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PHD13003C, PHD13003C 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 431.28 KB)
PDFPHD13003C 데이터 시트 표지
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  • PHD13003C,412 Distributor

PHD13003C 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
전력-최대2.1W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

285mV @ 400mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

전력-최대

350mW

주파수-전환

190MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BC184L_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

130 @ 100mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5134

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

400nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 1V

전력-최대

-

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-106-3 Domed

공급자 장치 패키지

TO-106

HD1530FX

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

26A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 3.25A, 13A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5.5 @ 13A, 5V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOWATT218FX

공급자 장치 패키지

ISOWATT-218FX

MPSA56RLRPG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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