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PLZ18B-HG3/H

PLZ18B-HG3/H

참조 용

부품 번호 PLZ18B-HG3/H
PNEDA 부품 번호 PLZ18B-HG3-H
설명 DIODE ZENER 18V 500MW DO219AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,650
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PLZ18B-HG3/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PLZ18B-HG3/H
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
PLZ18B-HG3/H, PLZ18B-HG3/H 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 174.37 KB)
PDFPLZ9V1C-HG3/H 데이터 시트 표지
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PLZ18B-HG3/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)18V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)23 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 13V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AC
공급자 장치 패키지DO-219AC (microSMF)

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제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±1%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

BZD27C160P M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

162V

공차

±5.55%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 120V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1PMT4126E3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 38.76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

BZD27C27PHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±7.03%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 20V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZG03C47-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG03C-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±6.38%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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