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PMCM4401VNEAZ

PMCM4401VNEAZ

참조 용

부품 번호 PMCM4401VNEAZ
PNEDA 부품 번호 PMCM4401VNEAZ
설명 MOSFET N-CH 12V WLCSP
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMCM4401VNEAZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMCM4401VNEAZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PMCM4401VNEAZ, PMCM4401VNEAZ 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 723.01 KB)
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PMCM4401VNEAZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds335pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스4-XFBGA, WLCSP

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-1

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

DMTH10H005SCT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

111.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8474pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

187W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FQAF33N10

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 12.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PF

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

IRLZ24NSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

236pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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