PMCM440VNE/S500Z
참조 용
| 부품 번호 | PMCM440VNE/S500Z |
| PNEDA 부품 번호 | PMCM440VNE-S500Z |
| 설명 | MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,192 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 22 - 12월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMCM440VNE/S500Z 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMCM440VNE/S500Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PMCM440VNE/S500Z 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 12V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 360pF @ 6V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 12.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 4-WLCSP (0.78x0.78) |
| 패키지 / 케이스 | 4-XFBGA, WLCSP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A (Ta), 302A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8862pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.2W (Ta), 139W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1210pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 57W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 128nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8260pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.62A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.85nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 867pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 990mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN3030-8 패키지 / 케이스 8-PowerUDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 588pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-89-3 패키지 / 케이스 TO-243AA |
