PMDPB56XN,115
참조 용
| 부품 번호 | PMDPB56XN,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PMDPB56XN-115 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,862 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDPB56XN 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMDPB56XN,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMDPB56XN 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 170pF @ 15V |
| 전력-최대 | 510mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | DFN2020-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A, 22.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2127pF @ 25V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 154nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4350pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 15V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MA |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
