PMDPB85UPE,115
참조 용
| 부품 번호 | PMDPB85UPE,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PMDPB85UPE-115 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,228 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMDPB85UPE 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMDPB85UPE,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMDPB85UPE 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 950mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 514pF @ 10V |
| 전력-최대 | 515mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-HUSON-EP (2x2) |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 10V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
