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PMEG3005EB,115

PMEG3005EB,115

참조 용

부품 번호 PMEG3005EB,115
PNEDA 부품 번호 PMEG3005EB-115
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD523
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 1,075,932
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMEG3005EB 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMEG3005EB,115
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
PMEG3005EB, PMEG3005EB 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 636.97 KB)
PDFPMEG3005EL 데이터 시트 표지
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  • PMEG3005EB,115 Distributor

PMEG3005EB 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)500mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If500mV @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523
작동 온도-접합150°C (Max)

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

RS2D-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SFAF1005G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

140pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S4KW10C-5N

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10000V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

10V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 10000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VBT2045BP-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-263AB

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