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PMEM4020AND,115

PMEM4020AND,115

참조 용

부품 번호 PMEM4020AND,115
PNEDA 부품 번호 PMEM4020AND-115
설명 TRANS NPN 40V 0.95A 6TSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMEM4020AND 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMEM4020AND,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
PMEM4020AND, PMEM4020AND 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 79.7 KB)
PDFPMEM4020AND 데이터 시트 표지
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PMEM4020AND 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN + Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대)950mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce300 @ 500mA, 5V
전력-최대600mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 20mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTXV2N3419S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/393

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

KSB1116SYTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

전력-최대

750mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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