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PMF280UN,115

PMF280UN,115

참조 용

부품 번호 PMF280UN,115
PNEDA 부품 번호 PMF280UN-115
설명 MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
제조업체 NXP
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재고 있음 5,346
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PMF280UN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMF280UN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PMF280UN, PMF280UN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 204.03 KB)
PDFPMF280UN 데이터 시트 표지
PMF280UN 데이터 시트 페이지 2 PMF280UN 데이터 시트 페이지 3 PMF280UN 데이터 시트 페이지 4 PMF280UN 데이터 시트 페이지 5 PMF280UN 데이터 시트 페이지 6 PMF280UN 데이터 시트 페이지 7 PMF280UN 데이터 시트 페이지 8 PMF280UN 데이터 시트 페이지 9 PMF280UN 데이터 시트 페이지 10 PMF280UN 데이터 시트 페이지 11

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PMF280UN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.02A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds45pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)560mW (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-323-3
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

관심을 가질만한 제품

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±40V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

750mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

패키지 / 케이스

E-Line-3

RND030N20TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

870mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

850mW (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

CPT3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI3442CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

335pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IPP14N03LA

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1043pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

46W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

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TPH4R606NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3965pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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