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PTFA180701FV4R250XTMA1

PTFA180701FV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA180701FV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA180701FV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA180701FV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA180701FV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA180701FV4R250XTMA1, PTFA180701FV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 362.42 KB)
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PTFA180701FV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.84GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트550mA
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37265-2

관심을 가질만한 제품

BG 3230 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

PD57018S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400-240

PD57018TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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