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PTFA212001F1V4XWSA1

PTFA212001F1V4XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFA212001F1V4XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFA212001F1V4XWSA1
설명 IC RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA212001F1V4XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA212001F1V4XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFA212001F1V4XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득15.8dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-2

공급자 장치 패키지

H-37248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.69GHz

이득

14.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

9W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4L4L-8

공급자 장치 패키지

NI-780S-4L4L-8

GTVA220701FA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.805GHz ~ 2.17GHz

이득

22dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

70W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37265J-2

공급자 장치 패키지

H-37265J-2

BLF6G27-100,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

-

이득

-

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

29A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PD57030

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

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