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PTFB192557SHV1XWSA1

PTFB192557SHV1XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFB192557SHV1XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFB192557SHV1XWSA1
설명 IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,652
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB192557SHV1XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB192557SHV1XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFB192557SHV1XWSA1, PTFB192557SHV1XWSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 559.62 KB)
PDFPTFB192557SHV1XWSA1 데이터 시트 표지
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  • PTFB192557SHV1XWSA1 Distributor

PTFB192557SHV1XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.35A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스H-34288G-4/2
공급자 장치 패키지H-34288G-4/2

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

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현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

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패키지 / 케이스

NI-1230-4H

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

BLF647P,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.3GHz

이득

18dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.51GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

23W

전압-정격

65V

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