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PTV3.9B-M3/85A

PTV3.9B-M3/85A

참조 용

부품 번호 PTV3.9B-M3/85A
PNEDA 부품 번호 PTV3-9B-M3-85A
설명 DIODE ZENER 4.2V 600MW DO220AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTV3.9B-M3/85A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTV3.9B-M3/85A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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PTV3.9B-M3/85A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈eSMP®
전압-제너 (Nom) (Vz)4.2V
공차±6%
전력-최대600mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-220AA
공급자 장치 패키지DO-220AA (SMP)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N4742 G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5274BDO35

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 99V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

CZRB5376B-HF

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

87V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 66V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

BZG04-43-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG04-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

-

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 43V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AC (SMA)

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