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PZM6.2NB1,115

PZM6.2NB1,115

참조 용

부품 번호 PZM6.2NB1,115
PNEDA 부품 번호 PZM6-2NB1-115
설명 DIODE ZENER 6.2V 300MW SMT3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PZM6.2NB1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PZM6.2NB1,115
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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PZM6.2NB1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±2%
전력-최대300mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3; MPAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

13 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N5385BE3/TR13

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

170V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

380 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 122V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

BZX79C30 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

SMBG5926A/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

5.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

2EZ140D5/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

140V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 106.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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