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PZM8.2NB,115

PZM8.2NB,115

참조 용

부품 번호 PZM8.2NB,115
PNEDA 부품 번호 PZM8-2NB-115
설명 DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,544
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 26 - 10월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PZM8.2NB 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PZM8.2NB,115
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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PZM8.2NB 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±2%
전력-최대300mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr700nA @ 5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3; MPAK

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

JAN1N966C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

MTZJT-774.7C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

PZU6.2BA,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

320mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1N5274BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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