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R5207ANDTL

R5207ANDTL

참조 용

부품 번호 R5207ANDTL
PNEDA 부품 번호 R5207ANDTL
설명 MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R5207ANDTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R5207ANDTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
R5207ANDTL, R5207ANDTL 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 3,291.96 KB)
PDFR5207ANDTL 데이터 시트 표지
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  • R5207ANDTL Distributor

R5207ANDTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)525V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)40W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지CPT3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

460mW (Ta), 4.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SUD50P04-15-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQB6N80TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AUIRF3710ZS

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Infineon Technologies

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI1056X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

89mOhm @ 1.32A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.7nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

236mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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