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RB095BGE-30TL

RB095BGE-30TL

참조 용

부품 번호 RB095BGE-30TL
PNEDA 부품 번호 RB095BGE-30TL
설명 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,734
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RB095BGE-30TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RB095BGE-30TL
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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RB095BGE-30TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If425mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 30V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252GE

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 40V

작동 온도-접합

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장착 유형

Surface Mount

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 60V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

960mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

작동 온도-접합

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장착 유형

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