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RB500VM-40FHTE-17

RB500VM-40FHTE-17

참조 용

부품 번호 RB500VM-40FHTE-17
PNEDA 부품 번호 RB500VM-40FHTE-17
설명 RB500VM-40FH IS LOW V F
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 22,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RB500VM-40FHTE-17 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RB500VM-40FHTE-17
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RB500VM-40FHTE-17 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If450mV @ 10mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 10V
커패시턴스 @ Vr, F6pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지UMD2
작동 온도-접합125°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-15

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

900V

전류-평균 정류 (Io)

1.4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1.4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 900V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, E

공급자 장치 패키지

D-5B

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GP10J-086M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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-

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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