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RBR20BM30AFHTL

RBR20BM30AFHTL

참조 용

부품 번호 RBR20BM30AFHTL
PNEDA 부품 번호 RBR20BM30AFHTL
설명 DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 20A
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RBR20BM30AFHTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RBR20BM30AFHTL
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • RBR20BM30AFHTL Distributor

RBR20BM30AFHTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If510mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)23.4ns
전류-역방향 누설 @ Vr300µA @ 30V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (TO-3P)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

3 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 1V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Twin Tower

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Microsemi Corporation

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

80ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 800V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

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