RF101L2STE25
참조 용
| 부품 번호 | RF101L2STE25 |
| PNEDA 부품 번호 | RF101L2STE25 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RF101L2STE25 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RF101L2STE25 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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RF101L2STE25 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 870mV @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 25ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자 장치 패키지 | PMDS |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1.6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 2A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 890mV @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 SUPERECTIFIER® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 140pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 R6, Axial 공급자 장치 패키지 R-6 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 95A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 60A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10mA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -40°C ~ 180°C |
